SiGe相关论文
设计了一款低相位噪声的可编程分频器,主要用于高鉴相频率的锁相环频率源中。电路设计采用2/3分频器级联结构,通过数选电路实现连......
随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
无线技术的快速发展使得低频频段异常拥挤,而毫米波能够提供丰富的可用频谱资源。随着毫米波理论技术的成熟、电路集成度的提高与......
鳍式场效应晶体管（FinFET）是目前半导体行业中16/14技术节点中的主流器件结构。然而,随着晶体管器件尺寸的不断缩小,硅基FinFET技术......
随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道......
学位
目的研究不同年龄组变应性鼻炎患者对敏筛试验中各变应原的阳性率之间是否存在统计学差异,及sIgE阳性率与总IgE的关系。方法选取20......
介绍通信集成电路相关的硅基CMOS工艺、GaAs HBT与HEMT工艺、SiGe HBT与BiCMOS工艺,介绍东南大学射频与光电集成电路研究所利用多......
:本文基于漂移扩散模型,对硅基错PIN 红外探测器的电流特性随应变、Ge 吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了......
对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGexSi多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)......
A 1.34 GHz±60 MHz low noise amplifier(LNA) designed in a 0.35 μm SiGe process is presented.The designed LNA exhibits a......
Based on the analysis of vertical electric potential distribution across the dual-channel strained p-type Si/strained Si......
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
RF方面,SiGe BiCMOS工艺有何进展,能否真正取代GaAs工艺。目前,SiGe BiCMOS的工艺技术己经开发完成,正在客户试用阶段,2012年进入......
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在......
RFaxis公司副总裁钱永喜认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代“该结束”了,纯CMOS工艺RF前端IC......
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
A promising technology named epitaxy on nano-scale freestanding fin(ENFF) is firstly proposed for heteroepitaxy This tec......
目前光子集成技术中主要通过在芯片上键合或外延生长III-V族材料激光光源实现光的激射,但这些方法由于衬底与光源之间存在高热阻的......
目的总结分析临沂地区变应性鼻炎患者的变应原种类以及变应原在患者年龄、性别、职业、生活区域的分布特点,为本地区变应性鼻炎的......
硅基太阳电池是现阶段光伏发电市场的主流产品,提高光电转换效率、降低发电成本是扩大硅基太阳电池应用领域、推进可再生能源发展......
目的:随着过敏原组分鉴定和抗原重组技术的不断成熟,过敏原组分诊断(Component-resolved diagnosis,CRD)已成为食物过敏诊断的重要......
目的探讨变应性鼻炎特异性鼻黏膜激发试验(SNPT)与血清特异性IgE(sIgE)在变应性鼻炎患者检测中的一致性,并对激发前后嗜酸性粒细胞......
目的 了解深圳特区人群中变应性鼻炎的临床特点和发病情况.方法根据2004年(兰州会议)变应性鼻炎的诊治原则和推荐方案设计调查表,......
目的 探讨特应性皮炎(atopic dermatitis,AD)患儿血清半乳糖凝集素-10(galectin-10)和特异性IgE(sIgE)之间的关系.方法 检测137例A......
期刊
本文提出了一种Ｇｅ 含量在波导厚度方向渐变的ＳｉＧｅ 光波导，对这种波导进行了模式分析，给出了进行单模波导设计的方法，并与成分均匀的ＳｉＧｅ 光波导......
指出锗硅高迁移率材料与高k栅介质之间界面接触存在问题,并介绍了能够优化界面的方法,即钝化工艺.总结了目前针对锗硅材料的四种钝......
目的：通过患儿血清特异性IgE(sIgE)，分析本地区引起儿童变态反应性疾病的主要变应原；探讨咳嗽变异性哮喘(Cough Variant Asthma，CVA)患......
目的:单一屋尘螨(即阿罗格,NHD)特异性免疫治疗PAR患者,观察对屋尘螨、花粉、真菌等一种或多种变应原过敏的PAR患者治疗后的临床疗......
基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器.该放大器由两级Cascode结构和一级共发射板结构组......
研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上......
采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组......
摘 要： 基于0.5µm SiGe HBT工艺，利用安捷伦公司的ADS仿真软件，设计一款应用于GNSS接收机射频前端的Gilbert混频器芯片。设计......
目的探讨布地奈德和沙丁胺醇治疗慢性喘息性支气管炎的疗效及与患儿血清sIgE水平的关系。方法检测80例慢性喘息性支气管炎患儿血清......
1、国外技术现状及发展趋势rnGPS接收机自2000年前后实现芯片化以来,其技术一直在持续发展.最初,美国主要有Trimble,、Garmin、SiR......
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700℃及730~900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的......
基于器件Y参数,对Si/Si1-xGex HBT的高频噪声进行了模拟.Si/Si1-xGex HBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小.与Si BJT相比,......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大......
设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻......
建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出......
基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4~2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结......
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实......
基于Jazz 0.35 μm SiGe HBT工艺,设计了一种宽动态范围的可变增益放大器(VGA).放大器由三级级联结构构成,分别为输入级、增益控制......
